SK海力士研发16层堆叠HBS存储技术 助力手机AI性能提升

据悉，SK海力士正在研发高带宽存储（HBS）技术，采用垂直导线扇出（VFO）封装工艺，可将最多16层DRAM与NAND芯片垂直堆叠。这项技术能显著提升数据处理速度，有望应用于未来智能手机和平板电脑。

VFO技术取代传统弯曲导线连接方式，缩短布线距离，减少信号损耗与延迟，并能支持更多I/O通道。HBS将与手机芯片组一起封装后安装到主板上，骁龙8至尊版Gen6 Pro被视为潜在首发平台。

与HBM相比，HBS技术成本更低、良率更高。苹果正研究在设备中采用HBS技术，以满足未来设备性能需求。