三星3nm GAA工艺良率提升 小折叠机型或采用猎户座2500芯片

【太平洋科技快讯】近日，三星电子高管透露其第2代3nm GAA(Gate-All-Around)工艺已进入稳定阶段，解决了此前在量产方面遇到的困难。这一技术的成熟，为Exynos 2500芯片的广泛应用奠定了基础。虽然具体良率比例尚未公布，但三星已成功解决了3纳米制程的良率问题。此前，良率低下一直是制约Exynos 2500发展的主要因素。

Exynos 2500芯片的研发初衷是用于Galaxy S25系列。然而，由于制程良率和性能方面的挑战，该芯片的应用一度受到限制。如今，随着问题的解决，Galaxy Z Flip系列(包括Galaxy Z Flip7和Galaxy Z Flip FE)有望率先搭载这款芯片。

在过去，三星晶圆代工事业部和系统LSI事业部之间存在责任推诿现象。为了推动3nm GAA工艺的稳定和发展，双方现已达成合作协议，将共同努力推进新芯片的商用进程。