红旗成功研发1700V超高压碳化硅功率器件样件 有望实现5分钟快速补能

10月17日，中国一汽红旗宣布，其研发总院新能源开发院功率电子开发部成功研发出首款1700V超高压碳化硅功率器件样件，标志着我国在新能源汽车领域的技术实力再上新台阶。

这款新型功率器件有效解决了驾驶过程中用户普遍关注的充电焦虑和里程焦虑问题。其设计旨在适应未来更高电压等级的充电架构，为实现仅需5分钟的快速补能提供了强有力的技术支持。

该器件搭载了国产1700V车规级超高压碳化硅芯片，采用了高介电强度封装材料和高耐压封装结构等先进技术。经测试，器件的最高母线电压可达1200V，为补能系统的升级提供了可能，进一步缩短了充电时间。

一汽红旗在这款功率器件中融合了多项创新技术，包括高密度元胞并联、短沟道元胞结构设计、高通流铜夹互联以及高耐温银烧结工艺等。这些技术的应用使得器件在超高压平台下具有低损耗和高电流输出的综合性能优势，从而提升了动力系统的功率密度和效率，降低了整车电耗，延长了续驶里程。

目前，一汽红旗尚未公布该器件的量产搭载时间。随着技术的不断成熟，这款功率器件有望为新能源汽车市场带来更多惊喜。敬请期待后续报道。