三星全球首发量产第九代QLC闪存：一颗1Tb、写入提升100％

快科技9月12日消息， 三星电子官方宣布，已经开始批量生产第九代QLC V-NAND闪存，单颗容量1Tb(128GB)。

就在今年4月，三星开始量产第九代TLC V-NAND闪存，二者只间隔4个月。

三星第九代QLC NAND闪存加入了多项创新：

一是 通道孔蚀刻 (Channel Hole Etching)。