快科技9月12日消息, 半导体巨头英飞凌科技近日宣布,公司已成功研发出全球首款300毫米(约12英寸)功率氮化镓(GaN)晶圆技术。
与现有的200毫米晶圆相比,300毫米晶圆技术意味着在单个晶圆上可以制造更多的芯片,从而提高了生产效率和规模经济。
这一技术进步不仅能够增加每晶圆的芯片产量,达到2.3倍,同时也有助于降低生产成本,使得氮化镓技术更加经济高效。
氮化镓功率半导体因其在效率、尺寸和重量方面的优势,在工业、汽车、消费电子、计算和通信应用中得到快速采用。
快科技9月12日消息, 半导体巨头英飞凌科技近日宣布,公司已成功研发出全球首款300毫米(约12英寸)功率氮化镓(GaN)晶圆技术。
与现有的200毫米晶圆相比,300毫米晶圆技术意味着在单个晶圆上可以制造更多的芯片,从而提高了生产效率和规模经济。
这一技术进步不仅能够增加每晶圆的芯片产量,达到2.3倍,同时也有助于降低生产成本,使得氮化镓技术更加经济高效。
氮化镓功率半导体因其在效率、尺寸和重量方面的优势,在工业、汽车、消费电子、计算和通信应用中得到快速采用。
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