4年自主研发！中国实现芯片制造关键技术首次突破：一年内投入应用

快科技9月3日消息，据南京发布公告， 经过4年的自主研发，国家第三代半导体技术创新中心（南京），成功攻克沟槽型碳化硅MOSFET芯片制造的关键技术。

这也是我国在这一领域的首次突破，打破了平面型碳化硅MOSFET芯片性能“天花板”。

沟槽型碳化硅MOSFET芯片因其卓越的性能，如更低的导通损耗、更好的开关性能和更高的晶圆密度，一直被视为半导体技术的前沿。

然而，由于碳化硅材料的高硬度和制备过程中的复杂性，沟槽型碳化硅MOSFET芯片的制造工艺一直是一个难题。