江波龙自研芯片新进展：NAND Flash技术迈入2xnm新时代

快科技8月28日消息， 江波龙携旗下行业类存储品牌FORESEE亮相ELEXCON2024深圳国际电子展，展示其在存储领域的最新技术成果。

在此次展会上， 江波龙首款2xnm SLC NAND Flash自研芯片产品首次亮相，再次体现了江波龙在技术创新之路的攀升 ；汽车电子、消费电子、智能穿戴和AI服务器四大主流市场的存储解决方案同台，呈现了江波龙在不同应用的产品硬实力。

2xnm SLC NAND Flash采用2xnm先进制程工艺，支持DTR模式，不仅实现了业界领先的166MHz工作频率，而且在电路设计上进行了创新，有效降低了噪声干扰，实现数据的快速读写。

在性能及容量不断提升的同时，各应用场景对于可靠性和微型化的要求并未降低，工程师团队针对不同SoC方案，通过高精度电路和改进的读写算法，集成了具有更强纠错能力的片上ECC引擎。同时，产品支持-40~85℃和-40~105℃的宽温工作环境，确保在极端环境下也能稳定运行。