快科技8月18日消息,半导体公司NEO Semiconductor近日宣布推出3D X-AI芯片技术,被设计用于取代高带宽内存(HBM)中的现有DRAM芯片,以提升人工智能处理性能并显著降低能耗。
3D X-AI芯片集成了8000个神经元电路,这些电路直接在3D DRAM中执行AI处理任务,实现了AI性能加速达到100倍。
与此同时,由于大幅减少了数据传输需求,该芯片的功耗降低了99%,有效降低了数据总线的功耗和发热问题。
NEO Semiconductor的这一创新还带来了8倍的内存密度,其3D X-AI芯片包含300个DRAM层,支持运行更大规模的AI模型。
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