SK海力士明年量产400层闪存！能让SSD更便宜吗？

快科技8月4日消息，据报道， SK海力士正在开发400层堆叠的NAND闪存，将于2025年投入大规模量产，再次遥遥领先。

为了达成如此密集的堆叠， SK海力士使用了所谓的4D NAND闪存、混合键合技术，也就是W2W(wafer-to-wafer)结构，将两块晶圆键合在一起 ，和目前将闪存单元置于外围驱动电路之上的PUC结构截然不同。

这就涉及到了连接不同晶圆的各种材料和技术，包括抛光、蚀刻、沉淀、引线等各个阶段。

其实，这就颇有点长江存储晶栈结构的味道了。