三星第9代V-NAND闪存将首次采用钼材料：可降低层高和延迟

快科技7月3日消息，据媒体报道， 三星在其第9代V-NAND闪存技术的革新中，巧妙地在金属化工艺环节引入了钼（Mo）作为替代材料，与之并行的另一路径则继续沿用传统的钨材料。

面对钨材料在降低层高方面已触及的物理极限， 三星前瞻性地转向钼，这一转变不仅有望实现层高30%至40%的进一步缩减，还能显著降低NAND闪存的响应时间，为数据存储领域带来前所未有的性能飞跃。 三星的这一决策，预示着NAND材料供应链即将迎来深刻的变革与重塑。

值得注意的是，钼材料的引入并非易事，它要求生产设备能够耐高温处理，将固态钼原材料加热至600℃以转化为气态，这与六氟化钨（WF6）的处理方式截然不同。

为此，三星已积极行动，从Lam Research公司引入了首批5台Mo沉积机，并规划在未来一年内再增购20台，以加速其钼基NAND的生产布局。