可实现存储芯片无限次擦写！中国科学家开发出无疲劳铁电材料登上Science

快科技6月9日消息，据媒体报道， 中国科学家成功开发出一种无疲劳铁电材料，并在国际顶级学术期刊《Science》上发表研究成果。

传统存储芯片因铁电材料存在读写次数限制，稳定性随使用时间推移而降低，这一问题长期制约着存储芯片的进一步研发和应用。

研究团队基于二维滑移铁电机制， 开发出一种新型的二维层状滑移铁电材料（3R-MoS2），该材料制备的存储芯片有望突破读写次数限制，实现无限次读写。

该研究的核心在于利用"层间滑移"替代传统铁电材料的"离子移动"，通过AI辅助的跨尺度原子模拟分析，揭示了二维滑移铁电材料抗疲劳的微观物理机制。