美国政府向三星提供64亿美元巨额补贴 以支持其在得克萨斯州兴建半导体工厂

【太平洋科技资讯】美国政府当地时间4月15日宣布，将向在得克萨斯州兴建半导体工厂的三星电子提供64亿美元补贴。这一巨额补贴将进一步推动美国在全球半导体制造领域的地位。

韩国政府此前向美方提出“让对美进行半导体投资的韩企享受无差别对待”的要求。美国商务部表示，三星是唯一一家在先进内存和先进逻辑技术方面都处于领先地位的半导体公司。三星将在接下来数年投资400亿美元，支持创造至少2.15万个就业机会。

三星电子设备解决方案(DS)部门总经理兼首席执行官庆桂显(Kye Hyun Kyung)表示：“我们不仅仅是在扩大生产设施;我们正在加强当地的半导体生态系统，并将美国定位为全球半导体制造目的地。”

三星将在得克萨斯州的奥斯汀扩建三星的现有设施，以支持美国航空航天、国防和汽车等关键行业的全耗尽绝缘体上硅(FD-SOI)工艺技术的生产。这项拟议的投资还包括与美国国防部的合作。

据报道，三星电子将在泰勒地区建设两个领先的逻辑晶圆厂，专注于4纳米和2纳米制程芯片技术的大规模生产，一个研发晶圆厂，专注于开发和研究比目前生产的制程更先进的技术，以及一个先进的封装工厂，用于生产3D高带宽内存和2.5D封装，这两种技术都在人工智能领域具有关键应用。

随着这一巨额补贴的公布，三星电子计划在得州泰勒市投资170亿美元，扩大兴建中的半导体工厂规模和投资对象，直至2030年共投资450亿美元。这比原先计划的投资规模多出一倍以上。

与此同时，三星电子在泰勒市兴建的半导体工厂将全面进军美国市场。此外，三星还计划申请美国财政部的投资税收抵免(Investment Tax Credit)，预计这将覆盖至多25%的合格资本支出。

此外，最近数月，美国政府依芯片法案开始陆续公布对各半导体制造公司的补贴。据报道，台积电在美国的总投资将超过650亿美元，并将在2纳米芯片生产方面取得领先地位。作为全球最大的合同芯片制造商，台积电还计划扩大该工厂的生产范围和精密度。

随着台积电等项目的实施，美国在全球尖端芯片生产中的占比有望达到约20%。目前，英特尔仍是获得《芯片和科学法案》补贴规模最大的公司(85亿美元)。另一家晶圆代工厂格芯获得了15亿美元补贴。微芯科技和英国军工企业BAE Systems分别得到1.62亿美元和3500万美元的补贴。迄今为止公布的芯片法案补贴总金额为231.97亿美元。

此次美国政府宣布向三星电子提供巨额补贴，无疑将进一步推动其在得克萨斯州兴建半导体工厂的进程。这不仅将创造大量的就业机会，还将加强美国的半导体生态系统，并提升其在全球半导体制造领域的影响力。