SLC、MLC、TLC、QLC……NAND闪存一路发展下来,存储密度越来越高,而寿命和可靠性不断下滑,比如作为最关键的衡量指标,P/E(编程/擦写循环)次数就越来越少。
根据维基百科的资料显示,SLC闪存的P/E可以达到5000-10000次之多,MLC一般在1000-10000次范围,TLC目前最高就只能做到3000次,QLC的话一般不超过1000次。
不过,长江存储凭借独特、优秀的Xtacking晶栈架构设计,走出了属于自己的特色道路,闪存寿命可靠性大大提升。
比如 长江存储新一代的QLC 3D NAND闪存,内部代号“X3-6070”,就有着极为优秀的素质,可满足企业级、消费级、嵌入式全场景的应用需求。
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