三星3nm良率翻至3倍！仍落后于台积电

快科技3月25日消息，据媒体透露，有消息人士称， 三星电子的3纳米Gate-All-Around（GAA）工艺的良率已经实现了三倍的提高， 从先前的10%至20%上升至30%至60%之间，然而， 这仍然落后于竞争对手台积电。

除此之外，台积电还宣布今年将3纳米晶圆的产量扩大到每月约10万片， 这使得三星几乎没有赶上代工竞争对手台积电的机会。

报道指出，三星电子在其第二代3纳米GAA工艺上投入了更多精力，并在功耗、性能和逻辑区域方面进行了改进。

然而，这并没有为三星吸引更多客户。 一份报告指出，要重新赢得像高通等先前的客户认可，三星需要将良率提高到70%。而这些企业在可预见的未来将继续选择台积电。