完全自主产权 中国第四代半导体新突破！6英寸氧化镓单晶实现产业化

快科技3月21日消息，近日，杭州镓仁半导体有限公司宣布，公司联合浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院、硅及先进半导体材料全国重点实验室。

采用自主开创的铸造法， 成功制备了高质量6英寸非故意掺杂及导电型氧化镓单晶， 并加工获得了6英寸氧化镓衬底片。

6英寸导电型氧化镓衬底

杭州镓仁半导体，也成为国内首个掌握6英寸氧化镓单晶衬底制备技术的产业化公司。