快科技3月13日消息,据媒体报道,有多名知情人士透露,随着芯片制造竞赛的升级, 三星电子计划采用竞争对手SK海力士的技术。
目前市场对于HBM(高带宽存储)芯片的需求越来越大,然而与竞争对手SK海力士和美光相比, 三星却失去了英伟达的大单。
分析人士普遍认为,三星之所以丢掉大单, 很大程度上源于其坚持采用非导电薄膜(NCF)芯片工艺; 而SK海力士使用的批量回流模制底部填充(MR-MUF)工艺,则有效解决了NCF技术的弊端。
分析师认为,三星HBM3芯片的良率表现并不理想, 仅维持在10-20%的水平; 相比之下,其竞争对手SK海力士的HBM3良率高达60-70%。
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