全球首片！九峰山实验室8寸硅光薄膜铌酸锂光电集成晶圆下线

快科技3月4日消息， 湖北九峰山实验室近日宣布，全球首片8寸硅光薄膜铌酸锂光电集成晶圆在九峰山实验室下线。

据悉，硅光薄膜铌酸锂光电集成晶圆为目前全球硅基化合物光电集成最先进技术， 该项成果可实现超低损耗、超高带宽的高端光芯片规模制造，为目前全球综合性能最优的光电集成芯片。

薄膜铌酸锂由于出色的性能在滤波器、光通讯、量子通信、航空航天等领域均发挥着重要作用。但铌酸锂材料脆性大，大尺寸铌酸锂晶圆制备工艺困难，铌酸锂微纳加工制备工艺也一直被视为挑战。

目前，业界对薄膜铌酸锂的研发还主要集中在3寸、4寸、6寸晶圆的制备及片上微纳加工工艺上。