【太平洋科技资讯】苹果近期的一项决定让人感到困惑,因为iPhone 16系列可能会放弃使用速度较快的TLC闪存,转而采用速度更慢的QLC闪存,主要目的是降低生产成本。
据供应链的最新消息,苹果公司可能会调整iPhone的存储容量策略。目前,iPhone15等采用的是三层单元(TLC)NAND闪存。然而,后续苹果会在存储容量达到或超过1TB的机型上使用四层单元(QLC)NAND闪存。QLC与TLC相比,每个存储单元能存储更多的数据。这是因为QLC每个单元可以存储四位数据,而TLC只能存储三位。这意味着,在存储容量相同的情况下,QLC的使用单元数量更少,从而降低了生产成本。
然而,QLC闪存也存在一些劣势。相比TLC,它的可靠性较低,数据写入的耐久性较差。这是因为QLC每个单元能存储的数据更多,所以每个单元的写入次数也更多。此外,QLC NAND闪存能存储16种不同的电荷电平,而TLC仅能存储8种。这意味着,在读取数据时,QLC的电荷量增加,裕量减少,从而增加了因噪声导致位错误的风险。
如果苹果公司决定执行这一计划,预计使用iPhone 16的1TB版本的用户可能会发现,他们的手机数据写入速度比512GB、256GB等存储版本的慢。这无疑会给用户带来不便,不过目前距离iPhone16发布仍有一段时间,我们也将持续关注事情发展。
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