三星LLW DRAM亮相 Galaxy S24新机有望率先采用

【太平洋科技资讯】11月30日消息，今日，全球科技巨头三星公司宣布，为满足设备端本地运行人工智能(AI)的需求，他们特别研发了一种新型动态随机存取内存(DRAM)，即低延迟宽带输入输出(LLW)DRAM。这种新型DRAM的性能优于现有的低功耗双数据速率(LPDDR)解决方案。

据了解，LLW DRAM的独特之处在于其通过垂直集成存储器和逻辑电路，实现了更高的效率和延迟。这种技术的应用，将为设备端本地运行AI提供更强大的支持。据官方介绍，LLW DRAM非常适用于智能手机、笔记本电脑和虚拟现实(VR)头显等设备。

据悉，在今年年初的Tech Day上，三星首次向公众展示了LLW DRAM。随后，在Memory Tech Day上，三星再次展示了其LPDDR5X CAMM2解决方案，进一步展示了三星在内存技术领域的领先地位。

值得注意的是，该介绍视频中还展示了一款集成了LLW DRAM的手机，与当前一代三星设备非常相似，预计可能是即将推出的Galaxy S24系列。这似乎预示着，未来的Galaxy设备可能会采用相同的解决方案，从而提高设备的性能。

实际上，三星并非首家实施LLW技术的公司。苹果公司的Vision Pro头显已经使用了扇出晶圆级封装(FOWLP)技术，将R1芯片与LLW DRAM封装在一起，进一步提升了设备的性能。

【知多D】

据韩联社，三星电子预计将在第三季度降低芯片赤字，这主要归功于芯片产量的持续削减。KB Securities 分析师 Kim Dong-won 预测，三星电子 Q3 持续减产，DS 部门亏损将达 4 万亿韩元。