据国外媒体报道,5nm制程工艺量产已有两年的台积电和三星电子,都在全力推进3nm工艺的量产,两家公司都计划在今年量产。
而韩国媒体根据最新的消息报道称,三星电子有望在下周宣布3nm制程工艺的量产事宜。
如果三星电子真如外媒报道的那样,在下周宣布3nm工艺量产,他们在这一制程工艺上,就将先于台积电实现量产。台积电的3nm工艺在去年开始风险试产,正按计划推进在今年下半年量产。
在竞争激烈的3nm制程工艺方面,三星电子和台积电的技术路线并不相同,三星电子率先采用全环绕栅极晶体管,台积电则是继续采用鳍式场效应晶体管(FinFET)架构。
外媒在报道中提到,三星电子此前曾表示,采用全环绕栅极晶体管技术的3nm制程工艺,同当前的鳍式场效应晶体管架构相比,性能将提升30%,能耗降低50%,逻辑面积效率提升超过45%。
三星电子的3nm制程工艺有望先于台积电量产,在5月初也曾出现过。当时就有外媒在报道中表示,三星在推进3nm工艺在二季度量产,如果能顺利实现,就将先于台积电量产。而二季度到下周四就将结束,如果三星电子要在二季度量产,就需要在下周四之前量产。
【来源:Techweb】【作者:海蓝】
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