台积电2nm工艺挤牙膏 三星窃喜：2025年赶超机会来了

        前几天的技术论坛上，全球第一大晶圆代工厂台积电公布了芯片工艺路线图，其中 3nm 工艺就有 5 种之多， 2025 年将推出 2nm 工艺，用上 GAA 晶体管技术。

      根据台积电的说法，相比 3nm 工艺，在相同功耗下， 2nm 速度快 10~15% ；相同速度下，功耗降低 25~30% 。

      虽然这些指标看着不错， 但是 2nm 工艺的密度提升挤牙膏了，仅提升了 10% ， 远远达不到摩尔定律密度翻倍的要求，比之前台积电新工艺至少 70% 的密度提升也差远了。

       2nm 工艺的难度显然成了一个挑战，这让台积电未来的密度提升越来越难，不过对竞争对手来说，台积电这次的挤牙膏让他们窃喜，有了追赶的机会。

       不仅 Intel 的 20A/18A 工艺会在 2024-2025 年对台积电 2nm 带来压力，更大的麻烦还有三星， 三星使用 GAA 晶体管比台积电还要激进， 3nm 工艺上就会使用。

       根据三星的计划， 3nm GAA 工艺预计会在 6 月份就试验性量产，相比 5nm 工艺，该工艺的性能提升 15% ，功耗降低 30% ，芯片面积减少 35% 。

       三星也将 2nm GAA 工艺的量产时间定在 2025 年，跟台积电差不多同步， 这也是三星近年来首次的新工艺量产上追上台积电 ，此前都要慢上 1-2 年，导致缺乏竞争力。