三星计划在 2025 年开始大规模生产基于 GAA 的 2nm 芯片

　　据 BusinessKorea 报道，三星电子正计划通过在未来三年内打造 3 纳米 GAA（Gate-all-around）工艺来追赶世界第一大代工公司 —— 台积电。

　　据悉，GAA 是下一代工艺技术，改进了半导体晶体管的结构，使栅极可以接触到晶体管的所有四面，而不是目前 FinFET 工艺的三面，GAA 结构可以比 FinFET 工艺更精确地控制电流。

　　根据 TrendForce 的数据，在 2021 年第四季度，台积电占全球代工市场的 52.1%，远远超过三星电子的 18.3%。

　　三星电子正押注于将 GAA 技术应用于 3 纳米工艺，以追赶台积电。据报道，这家韩国半导体巨头在 6 月初将 3 纳米 GAA 工艺的晶圆用于试生产，成为全球第一家使用 GAA 技术的公司。三星希望通过技术上的飞跃，快速缩小与台积电的差距。3 纳米工艺将半导体的性能和电池效率分别提高了 15% 和 30%，同时与 5 纳米工艺相比，芯片面积减少了 35%。

　　继今年上半年将 GAA 技术应用于其 3 纳米工艺后，三星计划在 2023 年将其引入第二代 3 纳米芯片，并在 2025 年大规模生产基于 GAA 的 2 纳米芯片。台积电的战略是在今年下半年使用稳定的 FinFET 工艺进入 3 纳米半导体市场，而三星电子则押注于 GAA 技术。

　　【来源：IT之家】【作者：远洋】