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台积电3nm工艺竟有5种之多!其中3种都看不懂

  台积电今天不仅公布了 Nanosheet碳纳米片技术的开山之作N2 2nm工艺 ,还展示了FinFET鳍式晶体管的终结之作N3 3nm工艺,发展出了多达五种不同版本,也是历代工艺中最丰富的。

  N3

  最早也是最标准的3nm, 今年下半年投入量产,预计明年初可以看到产品上市。

  它面向有超强投资能力、追求新工艺的早期客户,比如苹果、AMD这种,但是应用范围较窄, 只适合制造特定的产品。

  对比N5,功耗可降低约25-30%,性能可提升10-15%,晶体管密度提升约70%。

  Ehanced增强版 ,近期就会风险性试产,明年年中规模量产,产品上市预计2023年底或2024年初。

  它在N3的基础上 提升性能、降低功耗、扩大应用范围 ,对比N5同等性能和密度下功耗降低34%、同等功耗和密度下性能提升18%,或者可以将晶体管密度提升60%——是的,它的密度反而低于N3。

  台积电还称,N3E可以达到比N4X更高的频率,后者明年投产。

  N3P

  Performance性能增强版 ,细节不详。

  N3S

  密度增强版 ,细节不详。

  N3X

  超高性能版 ,不在乎功耗和成本,也是N4X的继承者。

  值得一提的是, N3E工艺还可以根据客户需求定制栅极、鳍片数量,性能、功耗、面积指标也不一样,官方称之为“FinFlex”。

  比如2个栅极1个鳍片,可以性能提升11%、功耗降低30%、面积缩小36%。

  2个栅极2个鳍片,可以性能提升23%、功耗降低22%、面积缩小28%。

  3个栅极2个鳍片,可以性能提升33%,功耗降低12%,面积缩小15%。

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