AMD 及 Intel 的新一代平台已经支持了 DDR5 内存，双通道的带宽轻松超过 50GB/s ，高频版的逐渐逼近 100GB/s ，然而这个性能跟 HBM3 内存比起来还是小巫见大巫，三星已经研发了新的 HBM3 内存，带宽轻松超过 1024GB/s 。
JEDEC 组织今年初发布了 HBM3 的标准，继续在存储密度、带宽、通道、可靠性、能效等各个层面进行扩充升级，其中传输数据率在 HBM2 基础上再次翻番，每个针脚 (pin) 的传输率为 6.4Gbps ，配合 1024-bit 位宽，单颗最高带宽可达 819GB/s 。
三星研发的新一代 HBM3 内存阵脚速率更高，达到了 8Gbps/pin ，堆栈 4 颗的情况下带宽轻松达到 1024GB/s ，是 DDR5 内存的十几倍。
另外，频率越高的话出错也更多，为此三星还有更强的内存纠错功能， 每个 HBM 内存芯片都内置了 1 组 ECC 纠错电路 ，确保数据准确性。
三星的 HBM3 内存没有公布何时上市，不过真要应用的话应该也会首先用于数据中心显卡及处理器上，消费级平台使用的可能性不大，毕竟 HBM3 的成本是普通用户无法承受的。
【来源：快科技】【作者：宪瑞】
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