在 NAND 闪存行业，随着长江存储在 2019 年量产自研的 64 层闪存，国内厂商已经杀进了这个行业，自研的 Xtacking 晶栈技术不熟三星等五大原厂，连续推出了 64 层、 128 层产品之后，今年要量产 192 层闪存了。
电子时报援引产业人士消息称， 长江存储最近已向一些客户交付了其自主研发的 192 层 3D NAND 闪存的样品，预计将在今年年底前正式推出产品。
此外，由于长江存储 128 层 3D NAND 闪存工艺良率已改善至较好水平，长江存储也将月产量扩大至 10 万片晶圆。
预计到 2023 年底，长江存储月产量可能超过 20 万片，全球市场份额有望达到 7-8% 。
在 3D 闪存方面，目前美光、三星都已经量产 176 层闪存，西数、铠侠之前合作的是 112 层闪存，今年将量产 162 层堆栈的闪存，长江存储 192 层闪存技术水平达到甚至超过了他们的量产型闪存。
不过三星今年底将量产 224 层堆栈的新一代 3D 闪存，美光前几天也官宣了 232 层堆栈的 3D 闪存，只是要到明年才能量产，总体上还是会领先国产 1-2 年时间。
对于国产闪存来说，目前最关键的地方还不是技术，而是产能，长江存储两期工程的总产能也不过 30 万晶圆 / 月，相比三星、铠侠等公司来说还是低不少，特别是这几年全球半导体厂商都在扩大产能， 2021 年全球产能应该会超过 200 万晶圆 / 月，未来几年有望超过 250 万晶圆 / 月。
【来源：快科技】【作者：宪瑞】
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