西部数据宣布，与铠侠联合开发的BiCS NAND闪存将进入第六代，堆叠层数达到162层，今年即投入量产。
目前的3D NAND闪存已经纷纷堆到176层，美光日前更是宣布全球首个达到232层。
但是西数指出， 自家的162层闪存单元尺寸更小，只有68平方毫米 ，小于竞品的69.6平方毫米或69.3平方毫米，因此存储密度更高，可以提供和竞品相同的单芯片容量。
西数表示， BiCS6 162层堆叠下，一块晶圆就可以做到100TB容量，而目前只有大约70TB。
性能方面，西数宣称自己拥有最好的电荷捕获(Charge Trap)型单元，性能可达 60MB/s ，比对手快了一半。
西数还预告了下下一代BiCS+闪存， 堆叠超过200层，预计可带来60％的传输速度提升、15％的编程带宽提升、55％的晶圆容量提升 ，然后继续一路堆叠， 2032年左右将超过500层！
另外，西数在PPT上海列出了PLC闪存，但没有任何细节消息。
【来源：快科技】【作者：上方文Q】
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