性能猛增35% Intel公开”4nm“ EUV工艺性能：CPU频率冲击6GHz？

         根据 Intel 的芯片工艺路线图，到 2025 年之前他们要在短短 4 年内掌握 5 代 CPU 工艺，其中有 2 代还是首次进入埃米级工艺，今年下半年将要量产 Intel 4 工艺，也就是对标友商的 ”4nm“ 工艺，也是 Intel 首款使用 EUV 光刻机的工艺。

        目前台积电、三星已经量产了 4nm 工艺，不过 Intel 自家的 ”4nm“ 工艺还是有不少特色的，特别是在性能方面，其他两家主要生产低功耗芯片， Intel 则是要生产高性能处理器，包括桌面及服务器级别的。

       Intel 的这个 ”4nm“ 工艺比目前的 Intel （也就是没改名前的第二代 10nm 工艺）工艺每瓦性能提升 20% ，如果是对比之前的初代 10nm 工艺，那么性能提升超过 35% 。

         其他方面， Intel ”4nm“ 工艺的晶体管密度相比 Intel 7 工艺提升 100% ， HP 高性能库密度可达 1.6 亿晶体管 /mm2 ，高于台积电 5nm 工艺的 1.3 亿晶体管 /mm2 ，接近台积电未来的 3nm 工艺的 2.08 亿晶体管 /mm2 水平了。

        目前 Intel 7 工艺量产的 12 代酷睿及下半年的 13 代酷睿频率可以做到 5.5GHz 了， 假设性能也只是提升 20% ，那极限频率应该可以突破 6GHz 了，史无前例的水平，不知道 Intel 会不会这么做。

         Intel 4 工艺会在明年的 14 代酷睿 Meteor Lake 上首发，后者也会是 Intel 酷睿系列中首个大量使用 3D Foveros 混合封装的处理器，主要有三个部分封装在一起，一是计算模块，二是 GPU 模块，多达 96-192 个计算单元，三是 SoC-LP ，应该是包含内存控制器、 PCIe 控制器等输入输出部分。

　　【来源：快科技】【作者：宪瑞】