台积电：2nm芯片将于2025年投产 首次使用GAA技术

　　第一季度财报电话会议上，台积电报告称正全力以赴地开发下一代工艺节点。 这家半导体巨头计划在今年晚些时候将投产首批 3 纳米工艺，并在 2025 年底前做好 2 纳米工艺的准备。

　　在本次电话会议上，高盛公司的分析师 Bruce Lee 向台积电首席执行官魏哲家（C.C. Wei）询问了 2 个问题。第 1 个问题是关于通货膨胀和整个经济，魏哲家回答说，台积电作为全球领先的代工企业，有能力应对市场的波动。

　　第 2 个问题则是询问了 2 纳米节点的时间表。魏哲家表示：“我们的 N2 开发正在进行中。......我们有信心，N2将继续保持我们的技术领先地位，支持客户的增长。而且我们仍然计划在2025年投产。预生产将在 2024 年开始”。

　　据悉，在 N2 上台积电首次使用 GAA FET(全环绕栅极晶体管)，逐渐取代 finFET (鳍式场效应晶体管)。 三星 已经开始使用他们版本的GAA， 英特尔 计划在2024年实施他们的版本。一位分析师向魏哲家询问此事，但他避而不答。

　　【来源：cnBeta.COM】