消息称三星13nm内存研发失利：1nm之差花了两年也搞不定

       与逻辑工艺一样，内存芯片工艺在进入 20nm 节点之后也陷入了难以制造的境地，三星作为全球内存一哥虽然走在了技术开发的前列，但是在新一代内存研发上也面临困难，最新消息称 13nm 工艺的内存已经宣告失利。

       简单说下，内存工艺在 20nm 节点之后就有不同断代方法，之前用的是 1x 、 1y 、 1z ，后来又有了 1a 、 1b 、 1c 工艺，不过三星、 SK 海力士及美光三大内存巨头的实际工艺也不完全是这样，有时公布的还是数字 +nm 命名的，反正内存工艺命名是有些混乱的。

       总体来说，三星在 DRAM 工艺上是最先进的， 2020 年率先研发成功 1z 工艺内存，大概是 15nm 级别的， 2021 年又宣告研发成功 1a 工艺内存，也就是 14nm 工艺的，还首次使用了 EUV 光刻工艺。

      再往下就是 1b 工艺了，大概是 12-13nm 级别， 三星去年宣布成立专门的研发团队攻克 1b 工艺内存，然而最新消息称三星已经中断了研发， 13nm 级别的内存被间接承认失败。

　　【来源：快科技】【作者：宪瑞】