三星3nm工厂即将动工：全球首发GAA工艺

        三星的晶圆代工部门最近负面不断，此前有消息称部分员工涉嫌伪造和虚报 5nm 、 4nm 、 3nm 工艺制程的良品率，以致于高通这样的 VIP 客户都要出走，重新使用台积电生产骁龙 8 处理器。

        不过从技术上来说，三星现在依然是唯一能紧追台积电的晶圆代工厂，虽然在 7nm 、 5nm 及 4nm 节点上落后了一些，但在接下来的 3nm 节点三星更激进，要全球首发 GAA 晶体管工艺，放弃 FinFET 晶体管技术，而台积电的 3nm 工艺依然会基于 FinFET 工艺。

       三星之前表示， GAA 是一种新型的环绕栅极晶体管，通过使用纳米片设备制造出了 MBCFET （ Multi-Bridge-Channel FET ，多桥 - 通道场效应管），该技术可以显著增强晶体管性能，主要取代 FinFET 晶体管技术。

         根据三星的说法，与7 nm 制造工艺相比， 3nm GAA 技术的逻辑面积效率提高了 45% 以上，功耗降低了 50% ，性能提高了约 35% ，纸面参数上来说却是要优于台积电 3nm FinFET 工艺。

        当然，这些还是纸面上的，三星的 3nm 工艺挑战也不少，光是量产就是个问题，之前三星宣传 2021 年就量产，实际上并没有，最快也是今年，而且首发的是 3GAE 低功耗工艺，高性能的 3GAP 工艺至少要 2023 年了。

        据韩国媒体报道，三星已经准备在韩国平泽市的 P3 工厂开工建设 3nm 晶圆厂了， 6 、 7 月份动工，并及时导入设备。

         按照这个进度，今年的 3GAE 工艺应该也只会是小规模试产，大规模量产也要到明年了，跟台积电的 3nm 工艺差不多，两家都因为种种问题延期量产 3nm 工艺了。

　　【来源：快科技】【作者：宪瑞】