台积电3nm制程工艺即将投产：密度比5nm高60%

　　据techpowerup报道称，台积电正在开发3nm的工艺制程，包括了N3、N3B和N3E多个节点。

　　据了解，台积电原计划在2022下半年量产N3节点，N3E量产计划为2023年下半年。

　　但由于作为3nm简化版的N3E节点，量产率较高，台积电希望早日实现商业化，可能提前到2023年上半年。

　　N3E的工艺流程也已经提前准备好了，工艺流程在这个月底就会确定。

　　据悉， N3E在N3基础上减少了EUV光罩层数，从25层减少到21层，逻辑密度低了8%， 不过仍比5nm的N5制程节点要高出60% ，并且具有更好的性能、功耗和产量。

　　相比之下，据说N3的逻辑密度比N5高 70%。

　　还有N3B，据说是针对某些客户的 N3 的改进版本，不过我们目前对N3B节点知之甚少。

　　无论N3E还是N3B，都不是用于取代N3，只是让客户有更多的选择，在不同产品上有更好的性能和功耗表现。

　　【来源：快科技】【作者：祥云】