消息称国产17nm工艺内存芯片良率已达40% 将首发DDR4

　　经过几年的追赶，国产 DRAM 内存芯片由合肥长鑫在 2019 年量产，首发的是 19nm 工艺，今年合肥长鑫就要推出下一代的 17nm 工艺内存芯片了，不过首发产品不是传闻中的 DDR5 ，而是 DDR4 。

　　来自大摩的分析称， 合肥长鑫的 17nm 工艺 DRAM 芯片良率已经达到了 40% ，预计 Q2 季度就会给客户供应产品，其成本相比台系厂商的 20nm 、 25nm 工艺内存更有优势。

　　至于生产方面，大摩称合肥长鑫的产能今年会增加到 8 万片晶圆 / 月，并在北京新建工厂，量产 17nm 工艺内存芯片。

　　此前的报道中， 长鑫还会研发 7nm 及以下工艺的 DDR5 、 LPDDR5 等内存，再下一代的 10G5 工艺中，除了 DDR5 、 LPDDR5 之外还有 GDDR6 显存。

　　此外，长鑫在2020年、2021年分别实现了4.5万片晶圆/月、6万片晶圆/月的目标，2022年的产能目标是12万片晶圆/月，未来的产能目标是30万片晶圆/月。

　　【来源：快科技】【作者：宪瑞】