英特尔欲借堆叠叉片式晶体管技术 实现亚3nm芯片制造

　　在帕特·基辛格的带领下，英特尔推出的 12 代 Alder Lake 处理器已经取得了巨大的成功。与此同时，该公司也在努力展望未来技术。 比如近日于网络上复现的一项专利，就暗示了这家芯片巨头或借助“堆叠叉片式”（Stacked Forksheet）晶体管技术来延续摩尔定律。

环栅（Gate-All-Around）晶体管或是英特尔延续摩尔定律的一个关键

　　为了应对 AMD 锐龙 CPU 竞品在台式机市场的大翻盘，英特尔正借 12 代 Alder Lake 处理器终结这一局面。炒作之余，英特尔仍需一些时日来重新摘取芯片制造的王冠。

　　过去几月，该公司陆续公布了多项新工艺和封装技术。其中包括新型 3D 晶体管、Foveros 封装 / 逻辑集成、以及 EMIB 嵌入式多芯片互联桥接等。

　　最新曝光的专利文档表明，英特尔正在酝酿所谓的“堆叠叉片式晶体管”新技术，且有望成为在 3nm 以下工艺节点有效延续“摩尔定律”的一个关键。

　　作为参考，台积电声称其即将推出的 3nm 工艺节点可较 5nm 带来 10~15% 的性能提升 / 高达 30% 的能效改进，CPU 内核逻辑 / SRAM 密度也可提升 70% / 20% 。

　　【来源：cnBeta.COM】