中国实现硅基半导体自旋量子比特的超快操控

　　据中国科技大学消息，该校郭光灿院士团队在硅基半导体自旋量子比特操控研究中取得重要进展，实现了硅基自旋量子比特的超快操控，自旋翻转速率超过540MHz，是目前国际上已报道的最高值。

图解：(a)硅基锗量子线空穴双量子点和自旋比特操控示意图，(b)自旋比特翻转速率随微波功率增加而增加， (c)微波功率为9dBm时，自旋比特操控速率可达542MHz

　　【来源：快科技】【作者：上方文Q】