Intel芯片厂产能将提升30% 五年后首发18A工艺及下代EUV光刻机

        今年 3 月份 Intel 新任 CEO 基辛格宣布了全新的 IDM 2.0 战略，此后 Intel 开始了大规模的工厂扩建计划，在美国、欧洲、亚洲等地区都会建晶圆制造及封测工厂，未来五年内产能提升 30% ，而且新工艺频发。

        今年 9 月份， Intel 已经在亚利桑那州动工建设新的晶圆厂，投资高达 200 亿美元，两座工厂分别会命名为 Fab 52 、 Fab 62 ，并首次透露这些工厂将会在 2024 年量产 20A 工艺 —— 这与之前预期的不同，原本以为会量产的是 Intel 4 这样的下两代工艺。

         在欧洲， Intel 之前宣布了未来十年内有望投资 1000 亿美元的庞大计划，目前除了扩建爱尔兰的晶圆厂之外，还有望在德国建设新的晶圆厂，在意大利建设新的封测厂，只不过现在还没有正式公布，要到明年初才能决定。

         前不久 Intel 还宣布在马来西亚投资 71 亿美元扩建封测厂，这里是 Intel 的芯片封测基地。

        业界估计， Intel 此番大举扩张，预计在 5 年内，也就是 2026 年的时候产能将增长 30% 以上，有望追赶台积电。

         除了产能提升之外， Intel 的芯片工艺也会突飞猛进，从今年底的 12 代酷睿使用的 Intel 7 工艺开始，到 2025 年的四年里升级五代工艺——分别是 Intel 7 、 Intel 4 、 Intel 3 及 Intel 20A 、 Intel 18A ，其中前面三代工艺还是基于 FinFET 晶体管的，从 Intel 4 开始全面拥抱 EUV 光刻工艺。

        至于后面的两代工艺， 20A 首次进入埃米级时代，放弃 FinFET 晶体管，拥有两项革命性技术， RibbonFET 就是类似三星的 GAA 环绕栅极晶体管， PoerVia 则首创取消晶圆前侧的供电走线，改用后置供电，也可以优化信号传输。

        20A 工艺在 2024 年量产， 2025 年则会量产改进型的 18A 工艺， 这次会首发下一代 EUV 光刻机， NA 数值孔径会从现在的 0.33 提升到 0.55 以上。

　　【来源：快科技】【作者：宪瑞】