Intel关键新突破：晶体管缩小50％、封装密度提升10倍

　　在日前的2021 IEEE IDM(国际电子器件会议)上，Intel公布、展示了在封装、晶体管、量子物理学方面的关键技术新突破，可推动摩尔定律继续发展，超越未来十年。

　　据介绍，Intel的组件研究团队致力于在三个关键领域进行创新：

　　一是通过研究核心缩放技术，在未来产品中集成更多晶体管。

　　Intel计划通过 混合键合(hybrid bonding) ，解决设计、制程工艺、组装难题， 将封装互连密度提升10倍以上。

　　今年7月的时候，Intel就公布了新的Foveros Direct封装技术，可实现 10微米以下的凸点间距 ，使3D堆叠的互连密度提高一个数量级。

　　未来通过GAA RibbonFET晶体管、堆叠多个CMOS晶体管，Intel计划实现 多达30-50％的逻辑电路缩放 ，在单位面积内容纳更多晶体管。

　　【来源：快科技】【作者：上方文Q】