西数明年底量产BiCS6闪存：162层堆栈、接口速度翻倍

        2021 年闪存逐渐从 96 层过渡到了 128 层为主，再往下就是 170 层到 200 层的了，每家闪存厂商的方案都有所不同，西数将在明年底量产 BiCS6 代 3D 闪存，堆栈层数提升到 162 ，而且接口速度翻倍。

        在闪存市场上，西数跟东芝是合作研发、生产的， BiCS 技术其实主要是来自东芝，目前量产的主力是 BiCS5 ， 2019 年 2 月份发布，堆栈层数 112 层，核心容量 512Gbit ，接口速度 1.066Gbps 。

        BiCS6 闪存是下一代产品，堆栈层数最终确定为 162 层，而非之前所说的 170+ 层，核心容量也提升到了 1Tbit ， 另外就是接口速度也将达到 2.0Gbps ，相比上代翻倍，不过距离三星最新的 8 代 V-NAND 闪存的 2.4Gbps 还有点距离。

         根据西数的计划， BiCS6 闪存将从明年初开始生产， 但真正大规模量产要到 2022 年底了 ，现在的 BiCS5 闪存还要过渡至少一年。

　　【来源：快科技】【作者：宪瑞】