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当前，量产的晶体管已经进入4nm尺度，3nm研发也已经冻结进入试产。
在11月于日本举办的线上ITF大会上，半导体行业大脑imec（比利时微电子研究中心）公布了未来十年的技术蓝图。
据悉， 2025年后，晶体管微缩化进入埃米尺度（?，angstrom，1埃 = 0.1纳米），时间节点的规划是，2025年A14（14?=1.4纳米）、2027年为A10（10?=1nm）、2029年为A7（7?＝0.7纳米）。
微观晶体管结构层面，imec试图在14?节点使用Forksheet结构（p型和n型纳米片晶体管成对排列，类似于用餐的叉子），10?节点试图采用CEFT结构，1纳米（10?）以下计划采用原子形状的沟道，依赖Mo（钼）、W（钨）、X为硫、Se硒、Te（碲）等2D材料和High NA（高数值孔径）EUV光刻机来实现。
说到High NA EUV光刻机（0.55NA），一号原型机（EXE:5000）将在2023年由ASML提供给imec的联合实验室，2026年量产，从而服务1nm及更先进的节点。
【来源：快科技】【作者：万南】
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网友评论
目前量子遂穿的问题无法解决的，例如现在7纳米制程下，其导致的漏电只能通过改进电闸的材料和结构得到适当缓解。理论上的性能上去了，但是能耗比却不见得有多大的提升。怕制程再缩下去，以后就没新材料可改善漏电情况了
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