三星提升QLC闪存性能：写入可达320MB/s

        随着闪存的发展，如今廉价、大容量的 SSD 几乎都要上 QLC 闪存了，这让消费者很不爽，因为 QLC 闪存不仅可靠性差，而且性能也慢很多，没有缓存加速的时候，性能甚至跑不过 HDD 机械硬盘。

        QLC 闪存性能差是先天性的，如果用光了缓存容量空间，现在的 QLC 闪存真实写入速度也就 100MB/s ， 三星的 870 QVO 硬盘之前有人实测过，拷贝文件的速度也就 160MB/s ，这个速度甚至还不如一些 HDD 机械盘快。

         三星也注意到这个问题了，未来也会重点关注 QLC 闪存的性能，目前他们使用的 QLC 闪存主要还是 96 层堆栈的 V5 QLC ，明年会跳过 V6 QLC ，直接进入 176 层的 V6 QLC 闪存时代。

        根据三星所说，新一代 QLC 闪存性能好得多，写入速度 2.7 倍、读取速度也有 2.6 倍，不过这是针对 V4 QLC 闪存的， 相比现在的 V5 QLC 大概能提升一倍，意味着写入性能可提升到 320MB/s 。

        不考虑缓存加速， 320MB/s 的原始写入性能已经相当可观了，足以让 SSD 性能重新超过 HDD 硬盘，并且跟 TLC 闪存一较高下，相关产品预计在明年上市。

　　【来源：快科技】【作者：宪瑞】