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富士通发布8Mb FRAM内存:读写寿命100万亿次

  富士通(确切地说是富士通半导体内存解决方案有限公司)今天宣布,推出 全新的8Mb FRAM内存,容量翻番,并支持并行接口,读写寿命第一次做到了100万亿次!

  FRAM就是 铁电存储器 ,一种随机存取存储器,拥有SRAM、DRAM级别的读取速度和寿命,而且是非易失性的,断电不丢失数据。

  它的缺点是容量密度做不大,因此不可能彻底取代DRAM、SRAM,但在一些对容量没有过高要求、对寿命/速度敏感的场景和设备上非常合适,尤其是高速工业场景。

  其实,铁电存储技术不是新鲜玩意儿, 1921年就有了这一概念。 虽然直到1993年才由美国RAmtron公司开发出第一个4Kb FRAM产品,但近些年来已经得到了广泛应用。

  富士通最新的MB85R8M2TA FRAM具备兼容SRAM的并行接口,供电电压范围1.8-3.6V, 拥有超长读写寿命的同时,比以往产品访问速度快了约30%,快页模式下访问速度仅25ns,持续传输率媲美SRAM。

  同时功耗也更低, 最大写入电流只需18mA(毫安),最大待机电流更是150uA(微安),分别降低了10%、50%,

  它采用了44针的TSOP封装,和上代4Mb FRAM一样保持兼容,还新增了48针的FBGA封装。

  富士通8Mb FRAM内存现已提供评估样品,量产时间未公布。

  【来源:快科技】【作者:上方文Q】

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