在半导体工艺进入 10nm 节点之后， EUV 工艺是少不了的，但是 EUV 光刻机价格高达 10 亿一台，而且产量有限，导致芯片生产成本很高。日本铠侠公司现在联合伙伴开发了新的工艺，可以不使用 EUV 光刻机，工艺直达 5nm 。
据据日媒报导，铠侠从 2017 年开始与半导体设备厂佳能，以及光罩、模板等半导体零组件制造商 DNP 合作，在日本三重县四日市的铠侠工厂内研发纳米压印微影技术 (NIL) 的量产技术，铠侠已掌握 15nm 量产技术，目前正在进行 15nm 以下技术研发，预计 2025 年达成。
与目前已实用化的极紫外光 (EUV) 半导体制程细微化技术相比， NIL 更加减少耗能且大幅降低设备成本。
因 NIL 的微影制程较单纯，耗电量可压低至 EUV 生产方式的 10% ，并让设备投资降低至 40% 。
而 EUV 设备由 ASML 独家生产供应，不但价格高，且需要许多检测设备配合。
目前 NIL 在量产上仍有不少问题有待解决，包括更容易因细微尘埃而形成瑕疵等问题。
如果铠侠能成功率先引进 NIL 量产技术，可望弥补在设备投资竞赛中的不利局面，又能符合减少碳排放的需求。
对铠侠来说， NAND 组件采取 3D 堆叠立体结构，更容易因应 NIL 技术的微影制程。
铠侠表示，已解决 NIL 的基本技术问题，正在完善量产技术，希望能率先引入 NAND 生产。
根据 DNP 说法， NIL 技术电路精细程度可达 5nm ， DNP 从 2021 年春起，根据设备的规格值进行内部仿真。
DNP 透露，从半导体制造商询问增加，显示不少厂商对 NIL 技术寄予厚望。
而佳能则致力于将 NIL 技术广泛应用于制作 DRAM 及 PC 用 CPU 等逻辑 IC 的设备，供应多种类型的半导体制造商，将来也希望能应用于手机应用处理器等最先进制程。
【来源：快科技】【作者：宪瑞】
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