三星已开始使用极紫外光刻技术量产14纳米DRAM芯片

　　据国外媒体报道，今日，存储芯片制造商三星电子宣布，它已开始使用极紫外光刻（EUV）技术量产业界最小的14纳米DRAM芯片。

　　三星电子表示，EUV技术减少了多图案绘制中的重复步骤，提高了图案绘制的准确性，从而提高了性能和产量，缩短了开发时间。

　　利用最新的DDR5标准，三星14纳米DRAM将帮助解锁前所未有的高达7.2Gbps的速度，这是DDR4速度（3.2Gbps）的2倍多。

　　该公司表示，即将开始量产DDR5，并预计最新工艺将使生产率提高20%，功耗降低近20%。

　　据悉，三星是全球最大的存储芯片和智能手机制造商之一。在近日举办的晶圆代工论坛上，该公司宣布，将从2025年开始量产2nm芯片，并计划从2022年上半年开始生产客户设计的3nm芯片，第二代3nm芯片预计将在2023年生产。