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台积电2nm工艺进入研发阶段:升级GAA晶体管

         做为全球最大最先进的晶圆代工厂,台积电在 7nm 5nm 节点上领先三星等对手,明年面还会量产 3nm 工艺,接下来则是 2nm 工艺。

         台积电计划未来三年投资 1000 亿美元,其中先进工艺花费的资金最多, 2nm 工艺也是前所未有的新工艺,台积电去年称 2nm 工艺取得了重大进展,进度比预期的要好。

        实际上台积电的 2nm 工艺没有宣传的那么夸张,此前只是技术探索阶段,寻找到了可行的技术路径。

        现在 2nm 工艺才算是进入了研发阶段,重点转向了测试载具设计、光罩制作及硅试产等方向。

        根据台积电的说法, 2nm 工艺节点上,他们也会放弃 FinFET 晶体管结构, 转向 GAA 环绕栅极结构 ,此前三星更为激进,在 3nm 节点就会弃用 GAA 晶体管,不过这两家的 GAA 晶体管结构也不会一样,孰优孰劣还没定论。

      在 2nm 节点,光刻工艺更加重要, EUV 光刻是少不了的,但此前的 EUV 工艺还存在不少问题, 台积电的 2nm 节点也会重点改进 EUV 工艺,提高光刻中的质量及效率。

       至于量产时间,台积电的 2nm 工厂现在还在起步阶段,此前消息称是 2023 年试产 2nm 工艺, 2024 年量产。

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  【来源:快科技】【作者:宪瑞】

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