三星将首发160层闪存 中国刚突破128层QLC闪存

上周中国的长江存储公司宣布攻克 128 层 3D 闪存技术， QLC 类型容量做到了 1.33Tb 容量 ，创造了三个世界第一。国产闪存突飞猛进，三星等公司也没闲着，三星正在开发 160 堆栈的 3D 闪存。

对 3D 闪存来说，堆栈层数越多，容量就越大，存储密度就越高，这是 3D 闪存的核心竞争力， 2020 年全球将大规模量产 100+ 层的 3D 闪存 。

不过每家的技术方案不同，东芝、西数的 BiCS 5 代 3D 闪存是 112 层的，美光、 SK 海力士有 128 层的， Intel 的是 144 层，而且是浮栅极技术的， 三星去年推出的第六代 V-NAND 闪存做到了 136 层， 今年也是量产的主力。

在 136 层之后， 三星目前正在研发 160 层及以上的 3D 闪存，将成为第七代 V-NAND 闪存的基础。

目前 160 层 + 的 3D 闪存还没有详细的技术信息，韩媒报道称三星可能会大幅改进制造工艺，从现在的单堆栈（ single-stack ）升级到双堆栈（ double-stack ），以便制造更高层数的 3D 闪存。

考虑到三星在 NAND 闪存行业占据了超过 1/3 的份额，实力是最强的，不出意外 160+ 层堆栈的闪存应该也会是他们首发，继续保持闪存技术上的优势，拉开与对手的差距。

对了，单从层数上来说，三星的 160 层 + 还不是最高的， SK Hynix 去年宣布正在研发 176 层堆栈的 4D 闪存 ，不过他们家的闪存结构甚至命名都跟其他厂商有所不同，不能单看层数高低。

【来源：快科技】【作者：宪瑞】