三星的32 Gb DDR4内存芯片已经制造出样

三星最近开始对其32 Gb容量的DDR4内存芯片进行出样，提升存储密度后的新产品将有助于DRAM封装厂更容易进行高容量存储器模块的生产。 三星的32 Gb A-die DDR4-2666芯片由两个堆叠的16 Gb DDR4裸片组成，采用该公司的10纳米级工艺技术生产。

三星提供两种版本的32 Gb DDR4封装：一种采用2G x8结构，另一种采用1G x16结构。前者被存储器控制器视为两个DRAM存储器设备，而后者被视为一个设备。 DDP（双芯片封装）采用标准78或96球FBGA外形尺寸，使用1.2V的工业标准电压。

JEDEC的DDR4规范仅描述了4 Gb，8 Gb和16 Gb内存设备。因此，DRAM制造商必须使用更先进的封装技术为 服务器 或工作站的高容量存储器模块构建芯片。 DDP不是特别新的东西，但32 Gb DDR4-2666 DDP是三星独有的。

32 Gb DDR4内存芯片将使模块和PC制造商能够使用更少的DRAM芯片，为需要高内存密度或小外形尺寸的应用构建高容量解决方案。显然，双列内存模块仍然需要内存控制器的支持，但至少使用这些芯片构建高容量内存子系统会更容易。

三星没有透露其32 Gb DDR4-2666 DDP的定价，但很明显它们将以比较高的价格出售，因为它们只能从三星获得，而且它们比SDP更难建造。

【来源：cnBeta.COM】