外媒：X-FAB宣布高压电流隔离技术将全面投产

【PConline 资讯】X-FAB Silicon Foundries SE日前宣布，其新型高温电偶隔离半导体工艺将全面投产。原电池隔离电隔离电路，以提高抗干扰能力，消除接地回路，增加共模电压，还可以保护人机界面不接触高电压。

其中起重要作用的一个例子是工业和汽车环境中IGBT或SiC电源模块的控制。进一步的应用包括数据通信在现场总线系统，电池管理系统或医疗设备的使用。

新的X-FAB电流隔离工艺的主要优点包括：

•操作温度高达175°C

•成功测试了6000 Vrms @ 50Hz和10000 VDC

•不间断阻挡层，残留污染为0 ppm

•证明符合最新IEC 60747-17半导体耦合器草案标准

•支持工作电压高达1.7 kV

X-FAB提供两种封装的电流隔离装置供客户评估。G3-C1电容耦合器的测试芯片，一个隔离层厚度11µm并且测试出能够承受6000 Vrms(测试设置的最大限度)。一个电感耦合器的测试芯片,G3-T06,也可以为客户评估，且其有14µm的隔离层厚度。

新的X-FAB电流隔离技术是在德累斯顿工厂(the company’s Dresden facility)生产的，该工厂按照IATF-16949:2016国际汽车质量管理体系(QMS)标准获得汽车制造认证。

所有主要EDA平台的设计工具包都可以从X-FAB的客户网站上下载，样品可按要求提供。

【via:Newelectronics】【PConline 编译: Tina】