英特尔镁光发布32Gbit闪存芯片 采用34纳米工艺

　　英特尔和镁光科技上周四共同发布了一种双方联合开发的34纳米32Gbit NAND闪存芯片，预期将能提高固态硬盘容量的同时降低生产成本。

　　尺寸比人拇指还小的这种新闪存芯片将在300毫米晶圆厂生产，将能为电子产品提供大约1.6TB的容量。英特尔官员称这种芯片是目前最小的NAND产品，为未来生产小型电子产品所需的高容量低成本固态存储器铺平了道路。

　　采用这种技术的芯片样本将在六月提供给各大硬件厂商，而大批量生产会在2008年下半年。

　　这种多层芯片是由英特尔和镁光的合资企业IM Flash Technologies生产的。今年二月时，合作双方发布了自己的高速NAND技术，据说数据传输率是传统NAND技术的五倍。这种NAND芯片定于今年夏季开始出货。

　　英特尔和镁光表示，合资公司计划从2008年底开始投产低容量的多层芯片产品，其中包括一种单层芯片设备。

　　另据英特尔透露，采用其全新NAND闪存架构的单片32Gbit芯片能储存超过2000张高分辨率数码照片，或在一台个人音乐设备中保存1000首MP3歌曲。

　　英特尔NAND产品部门营销总裁Pete Hanzen称他们计划在未来产品中使用这种新型芯片，但拒绝透露具体资料。今年3月时，英特尔确认打算在2008年中推出用于笔记本电脑的1.8英吋、2.5英吋固态硬盘，容量在80GB-160GB之间。

　　以产品形式来看，这种新的34纳米NAND技术能让现有的256GB固态硬盘容量“即时”提升一倍。就在本周，三星电子刚刚发布了一种256GB固态硬盘，将在今年稍后时间集成在笔记本电脑中一起出货。

　　分析师们预测，随着无盘技术成本的下降，未来数月中将来越来越多的企业采用固态存储技术。相比传统旋转式硬盘驱动器，闪存驱动器虽然具有明显的节能和高速优势，但还是有人担心其性能不稳定和可靠性问题。