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三星计划在 2025 年开始大规模生产基于 GAA 的 2nm 芯片

  据 BusinessKorea 报道,三星电子正计划通过在未来三年内打造 3 纳米 GAA(Gate-all-around)工艺来追赶世界第一大代工公司 —— 台积电。

  据悉,GAA 是下一代工艺技术,改进了半导体晶体管的结构,使栅极可以接触到晶体管的所有四面,而不是目前 FinFET 工艺的三面,GAA 结构可以比 FinFET 工艺更精确地控制电流。

  根据 TrendForce 的数据,在 2021 年第四季度,台积电占全球代工市场的 52.1%,远远超过三星电子的 18.3%。

  三星电子正押注于将 GAA 技术应用于 3 纳米工艺,以追赶台积电。据报道,这家韩国半导体巨头在 6 月初将 3 纳米 GAA 工艺的晶圆用于试生产,成为全球第一家使用 GAA 技术的公司。三星希望通过技术上的飞跃,快速缩小与台积电的差距。3 纳米工艺将半导体的性能和电池效率分别提高了 15% 和 30%,同时与 5 纳米工艺相比,芯片面积减少了 35%。

  继今年上半年将 GAA 技术应用于其 3 纳米工艺后,三星计划在 2023 年将其引入第二代 3 纳米芯片,并在 2025 年大规模生产基于 GAA 的 2 纳米芯片。台积电的战略是在今年下半年使用稳定的 FinFET 工艺进入 3 纳米半导体市场,而三星电子则押注于 GAA 技术。

  【来源:IT之家】【作者:远洋】

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