三星开始量产16Gb GDDR6内存芯片:10nm工艺

去年12月， 三星 电子宣布开始量产业界首款、采用第二代10nm工艺(1y-nm)级别的DRAM芯片 8Gb DDR4 芯片。近日，三星再次宣布 16Gb DDR6 RAM芯片也已经开始大规模量产。

三星称，16Gb DDR6 RAM芯片同样基于10nm工艺制程打造，而且功耗也变得更低，将会在先期上市的下一代 显卡 、显示系统中扮演至关重要的角色。

三星电子方面表示，相比于第一代10纳米级工艺相比，第二代工艺的产能提高30%，有助于公司满足全球客户不断飙升的DRAM芯片需求。而且，第二代10纳米级芯片要比第一代芯片快10%，功耗降低15%。同时，阵脚带宽3600Mbps起，也比1x-nm时代的 DDR -3200进步。

据介绍，这款三星16Gb DDR6 RAM芯片数据传输速度达72GB/s，几乎两倍于8Gb GDDR5 RAM芯片;同时，功耗也下降了约35%，制造生产率还上涨了30%，这意味着，同样时间内生产线将有望产出更多的16Gb DDR6 RAM芯片。