三星电子研发出全球最小的DRAM芯片：10纳米级

12月20日消息，据路透社报道，三星电子周三表示，它已开发出世界上最小的DRAM芯片（即动态随机存取存储器，最为常见的系统内存）。在半导体业务推动下，三星电子将在2017年实现创纪录的营业利润，从而扩大其技术领先地位。

三星在一份声明中表示，“第二代”10纳米级、8千兆比特的DRAM芯片，其能源效率和数据处理性能将提高，会面向高端数据处理电子产品，如云计算中心、移动设备和高速显卡。

三星电子表示，公司将在2018年会将大部分现有DRAM的生产力转移到10纳米芯片上。三星电子存储业务总裁Gyoyoung Jin表示，这种“积极”的生产扩张将“适应强劲的市场需求”。